Spektrální rozsah materiálu InGaAs je 900-1700 nm a multiplikační šum je nižší než u germaniového materiálu.Obecně se používá jako násobící oblast pro heterostrukturní diody.Materiál je vhodný pro vysokorychlostní komunikaci z optických vláken a komerční produkty dosáhly rychlosti 10 Gbit/s nebo vyšší.